Справочник MOSFET. IRF614S

 

IRF614S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF614S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.2(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF614S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF614S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irf614s.pdf pdf_icon

IRF614S

 ..2. Size:197K  international rectifier
 irf614spbf.pdf pdf_icon

IRF614S

IRF614S, SiHF614SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 1.8 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Sin

 8.1. Size:295K  1
 irf614 irf615.pdf pdf_icon

IRF614S

 8.2. Size:134K  international rectifier
 irf614pbf.pdf pdf_icon

IRF614S

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , SPP20N60C3 , IRF615 , IRF620 , IRF620A , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L .

 

 
Back to Top

 


 
.