IRF614S - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF614S. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF614S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF614S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF614S даташит

 ..1. Size:174K  international rectifier
irf614s.pdfpdf_icon

IRF614S

 ..2. Size:197K  international rectifier
irf614spbf.pdfpdf_icon

IRF614S

IRF614S, SiHF614S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 1.8 Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Configuration Sin

 8.1. Size:295K  1
irf614 irf615.pdfpdf_icon

IRF614S

 8.2. Size:134K  international rectifier
irf614pbf.pdfpdf_icon

IRF614S

IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 4.5 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

Другие MOSFET... IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , K3569 , IRF615 , IRF620 , IRF620A , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.