PMV90EN Todos los transistores

 

PMV90EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV90EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PMV90EN datasheet

 ..1. Size:384K  tysemi
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PMV90EN

Product specification PMV90EN 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSF

 0.1. Size:718K  nxp
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PMV90EN

PMV90ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 20 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

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History: 2SK3572-Z | SM6129NSU | FTA04N65 | SI2301CDS-T1 | MTP15N05L

 

 

 

 

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