Справочник MOSFET. PMV90EN

 

PMV90EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV90EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV90EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV90EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  tysemi
 pmv90en.pdf pdf_icon

PMV90EN

Product specificationPMV90EN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSF

 0.1. Size:718K  nxp
 pmv90ene.pdf pdf_icon

PMV90EN

PMV90ENE30 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

Другие MOSFET... MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , IRFB31N20D , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 , WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR .

History: SI9945DY | WML80R720S | WMM037N10HGS

 

 
Back to Top

 


 
.