CM10N65AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM10N65AZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: TO220A
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CM10N65AZ datasheet
cm10n65az.pdf
R CM10N65AZ www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2
Otros transistores... XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , K2611 , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A .
History: AGM60P40D
History: AGM60P40D
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