CM10N65AZ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CM10N65AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220A
Аналог (замена) для CM10N65AZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM10N65AZ даташит
cm10n65az.pdf
R CM10N65AZ www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2
Другие MOSFET... XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , K2611 , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A .
History: STT3463P | SGSP321 | FTP18N06 | AGM60P85AP
History: STT3463P | SGSP321 | FTP18N06 | AGM60P85AP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet