Справочник MOSFET. CM10N65AZ

 

CM10N65AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM10N65AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220A
 

 Аналог (замена) для CM10N65AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM10N65AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  jdsemi
cm10n65az.pdfpdf_icon

CM10N65AZ

RCM10N65AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2

 6.1. Size:125K  jdsemi
cm10n65afz.pdfpdf_icon

CM10N65AZ

RCM10N65AFZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1

 7.1. Size:125K  jdsemi
cm10n65f.pdfpdf_icon

CM10N65AZ

RCM10N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12

 8.1. Size:124K  jdsemi
cm10n60afz.pdfpdf_icon

CM10N65AZ

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2

Другие MOSFET... XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , IRF9640 , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A .

 

 
Back to Top

 


 
.