CM10N80P Todos los transistores

 

CM10N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM10N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM10N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  jdsemi
 cm10n80p.pdf pdf_icon

CM10N80P

RC1N0M08P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 121 233

 9.1. Size:124K  jdsemi
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CM10N80P

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2

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CM10N80P

RCM10N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12

 9.3. Size:127K  jdsemi
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CM10N80P

RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1

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History: IRFH8337PBF | VSE009NE6MS-G | SED8830MP | PE534SA | HFS12N65SA | DH850N10 | 2SK1435

 

 
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