CM10N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM10N80P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO3PB
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CM10N80P datasheet
cm10n60f.pdf
R CM10N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1
Otros transistores... CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , RU7088R , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F .
History: SVT10111ND
History: SVT10111ND
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