Справочник MOSFET. CM10N80P

 

CM10N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM10N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для CM10N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM10N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  jdsemi
 cm10n80p.pdf pdf_icon

CM10N80P

RC1N0M08P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 121 233

 9.1. Size:124K  jdsemi
 cm10n60afz.pdf pdf_icon

CM10N80P

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2

 9.2. Size:125K  jdsemi
 cm10n65f.pdf pdf_icon

CM10N80P

RCM10N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12

 9.3. Size:127K  jdsemi
 cm10n60f.pdf pdf_icon

CM10N80P

RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , MMD60R360PRH , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F .

 

 
Back to Top

 


 
.