CM110N055 Todos los transistores

 

CM110N055 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM110N055
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 903 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CM110N055 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CM110N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  jdsemi
cm110n055.pdf pdf_icon

CM110N055

RCM110N055 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 55V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

Otros transistores... CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , 2N7002 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.