Справочник MOSFET. CM110N055

 

CM110N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM110N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 903 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CM110N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM110N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  jdsemi
cm110n055.pdfpdf_icon

CM110N055

RCM110N055 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 55V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

Другие MOSFET... CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , 2N7002 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 .

History: P1504EDG | 2N3821 | FDP8870F085 | IPA60R280C6 | BRF7N60 | 2N7122 | BMS4007

 

 
Back to Top

 


 
.