CM110N055 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CM110N055
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Выходная емкость (Cd): 903 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
CM110N055 Datasheet (PDF)
1.1. cm110n055.pdf 
Size:125K _jdsemi
R CM110N055 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆55V N-Channel Trench-MOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于 US P 开关电源、汽车安定器 等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 驱动简单，可并联使用 3．封
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |