IRF620A Todos los transistores

 

IRF620A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF620A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de IRF620A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF620A datasheet

 ..1. Size:931K  samsung
 irf620a.pdf pdf_icon

IRF620A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.626 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 8.1. Size:881K  1
 irf620b irfs620b.pdf pdf_icon

IRF620A

 8.2. Size:182K  international rectifier
 irf620s.pdf pdf_icon

IRF620A

 8.3. Size:162K  international rectifier
 irf620spbf.pdf pdf_icon

IRF620A

IRF620S, SiHF620S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive Requirements Configuratio

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , IRF614S , IRF615 , IRF620 , SPP20N60C3 , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L , IRF6215S , IRF622 , IRF623 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.