IRF620A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF620A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF620A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF620A даташит

 ..1. Size:931K  samsung
 irf620a.pdf pdf_icon

IRF620A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.626 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 8.1. Size:881K  1
 irf620b irfs620b.pdf pdf_icon

IRF620A

 8.2. Size:182K  international rectifier
 irf620s.pdf pdf_icon

IRF620A

 8.3. Size:162K  international rectifier
 irf620spbf.pdf pdf_icon

IRF620A

IRF620S, SiHF620S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive Requirements Configuratio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF611, IRF612, IRF613, IRF614, IRF614A, IRF614S, IRF615, IRF620, IRFP260, IRF620FI, IRF620S, IRF621, IRF6215, IRF6215L, IRF6215S, IRF622, IRF623