CM140N04 Todos los transistores

 

CM140N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM140N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 140 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 435 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CM140N04 Datasheet (PDF)

1.1. cm140n04.pdf Size:123K _jdsemi

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R CM140N04 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆40V N-Channel Trench-MOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于 US P 开关电源、逆变器 等功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 驱动简单,可并联使用 3.封装外形

5.1. cm1400du-24nf.pdf Size:67K _igbt_a

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MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DU-24NF HIGH POWER SWITCHING USE CM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION UPS & General purpose inverters, etc OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm A,B HOUSING Type (J. S. T

5.2. cm1400duc-24s.pdf Size:538K _igbt_a

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< IGBT MODULES > CM1400DUC-24S HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE Collector current IC .............…..........................… 1 4 0 0 A Collector-emitter voltage VCES ..........................… 1 2 0 0 V Maximum junction temperature Tjmax .................... 1 7 5 °C ●Flat base Type ●Copper base plate (non-plating) ●RoHS Directive compliant ●Recogniz

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