CM140N04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM140N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CM140N04
CM140N04 Datasheet (PDF)
cm140n04.pdf
RCM140N04 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3
cm1400du-24nf.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULESCM1400DU-24NFHIGH POWER SWITCHING USECM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONUPS & General purpose inverters, etcOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mmA,B HO
Другие MOSFET... CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 , CM13N50F , IRF840 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S .
History: MEM2301XG-N | MEM2302M3
History: MEM2301XG-N | MEM2302M3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet




