CM1N60S Todos los transistores

 

CM1N60S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM1N60S

 

Principales características: CM1N60S

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CM1N60S

R CM1N60S www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

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CM1N60S

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CM1N60S

R C16C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3 TO-251 4

Otros transistores... CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , IRF1404 , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P .

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