CM1N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM1N60S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 15 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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CM1N60S Datasheet (PDF)

1.1. cm1n60s.pdf Size:141K _jdsemi

R CM1N60S 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

4.1. cm1n60.pdf Size:120K _jdsemi

R C16 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途主要用于充电器等各类开关电路 2 ．主要特点开关速度快通态电阻小，输入电容小 3 ．封装外形 TO-92 4 ．电特�

4.2. cm1n60c.pdf Size:123K _jdsemi

R C16C MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途主要用于充电器等各类开关电路 2 ．主要特点开关速度快通态电阻小，输入电容小 3 ．封装外形 TO-251 4 ．电特

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