CM1N60S Todos los transistores

 

CM1N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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CM1N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  jdsemi
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CM1N60S

RCM1N60S www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 8.1. Size:120K  jdsemi
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RC16MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-92 4

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CM1N60S

RC16CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-251 4

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