Справочник MOSFET. CM1N60S

 

CM1N60S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CM1N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 15 Ohm
   Тип корпуса: TO92

 Аналог (замена) для CM1N60S

 

 

CM1N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  jdsemi
cm1n60s.pdf

CM1N60S CM1N60S

RCM1N60S www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 8.1. Size:120K  jdsemi
cm1n60.pdf

CM1N60S CM1N60S

RC16MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-92 4

 8.2. Size:123K  jdsemi
cm1n60c.pdf

CM1N60S CM1N60S

RC16CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-251 4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top