CM1N60S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CM1N60S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 15 Ohm
Тип корпуса: TO92
CM1N60S Datasheet (PDF)
cm1n60s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RCM1N60S www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm1n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RC16MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-92 4
cm1n60c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RC16CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-251 4
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .