CM1N60S - описание и поиск аналогов

 

CM1N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM1N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для CM1N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM1N60S даташит

 ..1. Size:141K  jdsemi
cm1n60s.pdfpdf_icon

CM1N60S

R CM1N60S www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 8.1. Size:120K  jdsemi
cm1n60.pdfpdf_icon

CM1N60S

 8.2. Size:123K  jdsemi
cm1n60c.pdfpdf_icon

CM1N60S

R C16C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3 TO-251 4

Другие MOSFET... CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , IRF1404 , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.