All MOSFET. CM1N60S Datasheet

 

CM1N60S MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CM1N60S

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 3 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 0.8 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 15 Ohm

Package: TO92

CM1N60S Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

 

CM1N60S Datasheet (PDF)

1.1. cm1n60s.pdf Size:141K _jdsemi

CM1N60S
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R CM1N60S 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

4.1. cm1n60c.pdf Size:123K _jdsemi

CM1N60S
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R C16C MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器等各类开关电路 2 .主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3 .封装外形 TO-251 4 .电特

4.2. cm1n60.pdf Size:120K _jdsemi

CM1N60S
CM1N60S

R C16 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器等各类开关电路 2 .主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3 .封装外形 TO-92 4 .电特

Datasheet: CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , IRFP460 , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P .

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