CM20N60P Todos los transistores

 

CM20N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM20N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM20N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  jdsemi
 cm20n60p to3pb.pdf pdf_icon

CM20N60P

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RCM20N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23

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History: MDD4N25RH | 2SK1336 | VS3618AE | WSD4066DN | AOLF66610 | CSD17310Q5A | STN1NF10

 

 
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