CM20N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM20N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB
Búsqueda de reemplazo de CM20N60P MOSFET
CM20N60P Datasheet (PDF)
cm20n60p to3pb.pdf

RCM20N60P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm20n60.pdf

RCM20N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3
cm20n60f.pdf

RCM20N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 12 3
cm20n50f.pdf

RCM20N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23
Otros transistores... CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , 7N65 , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C .
History: BUZ50BSM | HFD2N70S | FDD850N10L | APT6040BVFR | 2N7268U | IRFH3205
History: BUZ50BSM | HFD2N70S | FDD850N10L | APT6040BVFR | 2N7268U | IRFH3205



Liste
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