CM20N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM20N60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PB

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CM20N60P Datasheet (PDF)

1.1. cm20n60p to3pb.pdf Size:140K _jdsemi

R CM20N60P 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS �

3.1. cm20n60.pdf Size:126K _jdsemi

R CM20N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于计算机开关电源、大功率充电器等功率开关电路 2．主要特点开关速度快驱动简单，可并联使用 3．封装

3.2. cm20n60f.pdf Size:130K _jdsemi

R CM20N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于计算机开关电源、大功率充电器等功率开关电路 2．主要特点开关速度快 1 2 驱动简单，可并联使用 3�

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