CM20N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM20N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3PB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM20N60P
CM20N60P Datasheet (PDF)
1.1. cm20n60p to3pb.pdf 
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R CM20N60P 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS
3.1. cm20n60f.pdf Size:130K _jdsemi
R CM20N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 1 2 驱动简单，可并联使用 3
3.2. cm20n60.pdf Size:126K _jdsemi
R CM20N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 驱动简单，可并联使用 3．封装
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