CM20N60P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM20N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB
Búsqueda de reemplazo de CM20N60P MOSFET
CM20N60P datasheet
cm20n60.pdf
R CM20N60 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3
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Liste
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