CM20N60P MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CM20N60P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 250 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 20 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.45 Ohm
Package: TO3PB
CM20N60P Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CM20N60P Datasheet (PDF)
1.1. cm20n60p to3pb.pdf 
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R CM20N60P 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS
3.1. cm20n60f.pdf Size:130K _jdsemi
R CM20N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 1 2 驱动简单，可并联使用 3
3.2. cm20n60.pdf Size:126K _jdsemi
R CM20N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 驱动简单，可并联使用 3．封装
Datasheet: CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , RFP50N06 , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C .
