Справочник MOSFET. CM20N60P

 

CM20N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM20N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для CM20N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM20N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  jdsemi
cm20n60p to3pb.pdfpdf_icon

CM20N60P

RCM20N60P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 7.1. Size:126K  jdsemi
cm20n60.pdfpdf_icon

CM20N60P

RCM20N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

 7.2. Size:130K  jdsemi
cm20n60f.pdfpdf_icon

CM20N60P

RCM20N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 12 3

 9.1. Size:130K  jdsemi
cm20n50f.pdfpdf_icon

CM20N60P

RCM20N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFU5505 | CS840FA9H

 

 
Back to Top

 


 
.