CM4N65C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM4N65C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
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CM4N65C datasheet
cm4n65c.pdf
R CM4N65C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 TO-251 TO-25
cm4n60c.pdf
R CM4N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Otros transistores... CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , IRLB4132 , CM4N65F , CM50N06 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 .
History: DG2N65-220
History: DG2N65-220
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