CM4N65C Todos los transistores

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CM4N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM4N65C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251_TO252

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CM4N65C Datasheet (PDF)

1.1. cm4n65c.pdf Size:148K _jdsemi

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R CM4N65C 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于 LD E 驱动、电源适配器 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 TO-251 TO-25

4.1. cm4n65f.pdf Size:130K _jdsemi

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R CM4N65F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于 LD E 驱动、电源适配器 等各类功率开关电路 2.主要特点 1 开关速度快 2 通态电阻小,输入电容小 3.

5.1. cm4n60c.pdf Size:144K _jdsemi

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R CM4N60C 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

5.2. cm4n60f.pdf Size:128K _jdsemi

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R CM4N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于 LD E 驱动、电源适配器 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 1 通态电阻小,输入电容小 2 3.

5.3. cm4n60c to251.pdf Size:144K _jdsemi

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R CM4N60C 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

5.4. cm4n60.pdf Size:145K _jdsemi

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R CM4N60 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

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