CM4N65C datasheet, аналоги, параметры транзистора

CM4N65C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CM4N65C 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для CM4N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:148K jdsemi
cm4n65c.pdf pdf_icon

R CM4N65C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 TO-251 TO-25

8.1. Size:130K jdsemi
cm4n65f.pdf pdf_icon

9.1. Size:144K jdsemi
cm4n60c.pdf pdf_icon

R CM4N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

9.2. Size:128K jdsemi
cm4n60f.pdf pdf_icon