CM55N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM55N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CM55N06 MOSFET
CM55N06 Datasheet (PDF)
cm55n06.pdf
RCM55N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4
Otros transistores... CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , 8205A , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C .
History: FQU2N50B | FK16UM-6 | SSM3J14T | FTK50N06 | FW389
History: FQU2N50B | FK16UM-6 | SSM3J14T | FTK50N06 | FW389
Liste
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