CM55N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CM55N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CM55N06 Datasheet (PDF)
..1. Size:126K jdsemi
cm55n06.pdf
cm55n06.pdf

RCM55N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPD70N04S3-07 | MRF5007R1 | AP9408GH
History: IPD70N04S3-07 | MRF5007R1 | AP9408GH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763