Справочник MOSFET. CM55N06

 

CM55N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM55N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CM55N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM55N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  jdsemi
cm55n06.pdfpdf_icon

CM55N06

RCM55N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4

Другие MOSFET... CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , 8205A , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C .

History: C2T212

 

 
Back to Top

 


 
.