CM84N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM84N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 84 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 375 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CM84N06 Datasheet (PDF)

1.1. cm84n06.pdf Size:123K _jdsemi

R CM84N06 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆60V N-Channel Trench-MOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于电动车控制器等功率开关电路 2．主要特点开关速度快驱动简单，可并联使用 3．封装外形 TO-220 4�

Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

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