Справочник MOSFET. CM84N06

 

CM84N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM84N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CM84N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM84N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  jdsemi
cm84n06.pdfpdf_icon

CM84N06

RCM84N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4

Другие MOSFET... CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , IRFP450 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F .

History: OSG60R030HTZF | SM2303PSA | SSM6K22FE | PH1825AL | DMP2035UVT | CEB07N7 | SVGP02R58NL5

 

 
Back to Top

 


 
.