CM8N06C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM8N06C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de CM8N06C MOSFET
CM8N06C Datasheet (PDF)
cm8n06c.pdf
RCM8N06C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 TO-251 TO-252 1
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History: ME80N75T-G | 2N65KL-TF3T-T
History: ME80N75T-G | 2N65KL-TF3T-T
Liste
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