Справочник MOSFET. CM8N06C

 

CM8N06C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM8N06C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для CM8N06C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM8N06C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  jdsemi
cm8n06c.pdfpdf_icon

CM8N06C

RCM8N06C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 TO-251 TO-252 1

Другие MOSFET... CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , IRFP250 , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F , CM9N20 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | BSO301SPH | 2SK2032 | PA567JA | KQB9N50

 

 
Back to Top

 


 
.