IRLR9343TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLR9343TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: TO252
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IRLR9343TR datasheet
irlr9343tr.pdf
IRLR9343TR www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 60 26 0.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge C
irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf
PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low
irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf
PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low
irlu9343-701 irlr9343.pdf
PD - 95850 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343 IRLU9343 IRLU9343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for
Otros transistores... CM8N80F , CM9N20 , CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , 18N50 , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 .
History: IRLR8743PBF | IRLU3715PBF | RU30120R | IRLU7821PBF | IRLTS6342PBF | SVF4N65FG | IRLZ10
History: IRLR8743PBF | IRLU3715PBF | RU30120R | IRLU7821PBF | IRLTS6342PBF | SVF4N65FG | IRLZ10
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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