Справочник MOSFET. IRLR9343TR

 

IRLR9343TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR9343TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR9343TR

 

 

IRLR9343TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn vbsemi
 irlr9343tr.pdf

IRLR9343TR IRLR9343TR

IRLR9343TRwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge C

 6.1. Size:303K  international rectifier
 irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf

IRLR9343TR IRLR9343TR

PD - 95386ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343PbFIRLU9343PbFIRLU9343-701PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low

 6.2. Size:248K  international rectifier
 irlu9343-701 irlr9343.pdf

IRLR9343TR IRLR9343TR

PD - 95850DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343IRLU9343IRLU9343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m:93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m:150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for

 6.3. Size:303K  infineon
 irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf

IRLR9343TR IRLR9343TR

PD - 95386ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343PbFIRLU9343PbFIRLU9343-701PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low

 6.4. Size:314K  inchange semiconductor
 irlr9343.pdf

IRLR9343TR IRLR9343TR

isc P-Channel MOSFET Transistor IRLR9343FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)105m175 Operating Junction Temperature100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top