IRLR9343TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR9343TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR9343TR
IRLR9343TR Datasheet (PDF)
irlr9343tr.pdf

IRLR9343TRwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge C
irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf

PD - 95386ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343PbFIRLU9343PbFIRLU9343-701PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low
irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf

PD - 95386ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343PbFIRLU9343PbFIRLU9343-701PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low
irlu9343-701 irlr9343.pdf

PD - 95850DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343IRLU9343IRLU9343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m:93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m:150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for
Другие MOSFET... CM8N80F , CM9N20 , CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , 75N75 , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 .
History: MPSP65M650 | 3400L | CM220N04 | IPD048N06L3 | SUP85N15-21 | FQPF5N50CFTU | IXTH88N15
History: MPSP65M650 | 3400L | CM220N04 | IPD048N06L3 | SUP85N15-21 | FQPF5N50CFTU | IXTH88N15



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor