HGE055NE4A Todos los transistores

 

HGE055NE4A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGE055NE4A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HGE055NE4A Datasheet (PDF)

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HGE055NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGE055NE4A General Description VDSS 45 V HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 18 A PD(Ta=25) 3.1 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 m which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 m performance and enhance the avalanche energy. The

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History: SD219DE | PM2301 | NCEP6040AGU | 2SK1793-Z | 2SK1750-Z

 

 
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