HGE055NE4A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGE055NE4A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGE055NE4A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HGE055NE4A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGE055NE4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  wuxi china
 hge055ne4a.pdf pdf_icon

HGE055NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGE055NE4A General Description VDSS 45 V HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 18 A PD(Ta=25) 3.1 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 m which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 m performance and enhance the avalanche energy. The

Другие MOSFET... CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , IRF520 , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 .

 

 
Back to Top

 


 
.