HGE055NE4A - описание и поиск аналогов

 

HGE055NE4A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGE055NE4A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HGE055NE4A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGE055NE4A даташит

 ..1. Size:527K  wuxi china
 hge055ne4a.pdf pdf_icon

HGE055NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGE055NE4A General Description VDSS 45 V HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 18 A PD(Ta=25 ) 3.1 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 m which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 m performance and enhance the avalanche energy. The

Другие MOSFET... CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , IRF520 , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 .

History: FDMS3604AS | FDMS5352 | TN0106

 

 

 

 

↑ Back to Top
.