HGE055NE4A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGE055NE4A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HGE055NE4A Datasheet (PDF)
hge055ne4a.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGE055NE4A General Description VDSS 45 V HGE055NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 18 A PD(Ta=25) 3.1 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology RDS(ON) Typ@Vgs=10V 4.4 m which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 6.5 m performance and enhance the avalanche energy. The
Другие MOSFET... CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , CS150N03A8 , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 .
History: RFP30P06 | AON6504 | CJ3401 | FJX597JB
History: RFP30P06 | AON6504 | CJ3401 | FJX597JB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345