VBA5638 Todos los transistores

 

VBA5638 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBA5638

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SO8

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VBA5638 datasheet

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VBA5638

VBA5638 www.VBsemi.com N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS

Otros transistores... CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , STF13NM60N , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D .

History: TP2104K1 | IRLU8743PBF | TN2106N3-G

 

 

 

 

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