Справочник MOSFET. VBA5638

 

VBA5638 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA5638
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA5638

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  cn vbsemi
 vba5638.pdf pdf_icon

VBA5638

VBA5638www.VBsemi.comN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS

Другие MOSFET... CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , IRF2807 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.