VBA5311 Todos los transistores

 

VBA5311 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA5311
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA5311 datasheet

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VBA5311

VBA5311 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 11 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.014 at VGS = 4.5 V 10 APPLICATIONS 0.017 at VGS = - 10 V

 9.1. Size:709K  cn vbsemi
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VBA5311

VBA5325 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

Otros transistores... IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , P60NF06 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G .

 

 

 


 
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