VBA5311 - описание и поиск аналогов

 

VBA5311. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA5311

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA5311

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5311 даташит

 ..1. Size:664K  cn vbsemi
 vba5311.pdf pdf_icon

VBA5311

VBA5311 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 11 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.014 at VGS = 4.5 V 10 APPLICATIONS 0.017 at VGS = - 10 V

 9.1. Size:709K  cn vbsemi
 vba5325.pdf pdf_icon

VBA5311

VBA5325 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

Другие MOSFET... IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , P60NF06 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G .

History: 2SK746 | IPA037N08N3 | EC4953

 

 

 

 

↑ Back to Top
.