VBA5311 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBA5311 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBA5311
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA5311

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5311 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  cn vbsemi
 vba5311.pdf pdf_icon

VBA5311

VBA5311www.VBsemi.comN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 11 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.014 at VGS = 4.5 V 10APPLICATIONS0.017 at VGS = - 10 V

 9.1. Size:709K  cn vbsemi
 vba5325.pdf pdf_icon

VBA5311

VBA5325www.VBsemi.comN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

Другие MOSFET... IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , AO3401 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G .

History: 2N65KL-TF3T-T | ME80N75T-G

 

 
Back to Top

 


 
.