VBA3222 Todos los transistores

 

VBA3222 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBA3222

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SO8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBA3222 datasheet

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
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VBA3222

VBA3222 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET 20 0.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2

 9.1. Size:631K  cn vbsemi
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VBA3222

VBA3211 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET 20 15 nC 100 % UIS Tested 0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box L

Otros transistores... GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , 7N60 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R , VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R .

History: IPA030N10N3 | SLP65R380E7C | BUK453-60B | 4N60KG-TMS2-T | TMD3N50Z | SI2356DS | DMS2120LFWB

 

 

 

 

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