VBA3222 - описание и поиск аналогов

 

VBA3222. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA3222

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA3222

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3222 даташит

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
 vba3222.pdf pdf_icon

VBA3222

VBA3222 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET 20 0.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2

 9.1. Size:631K  cn vbsemi
 vba3211.pdf pdf_icon

VBA3222

VBA3211 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET 20 15 nC 100 % UIS Tested 0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box L

Другие MOSFET... GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , 7N60 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R , VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R .

History: VBA3316 | CM1N70 | SL3134K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.