VB264K Todos los transistores

 

VB264K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB264K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.185 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB264K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  cn vbsemi
 vb264k.pdf pdf_icon

VB264K

VB264Kwww.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 4 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 - 185 High-Side Switching Low On-Resistance: 4 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low

Otros transistores... VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , IRFZ44 , VB1695 , VB2103K , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 .

History: AP2325GEN | AOB20S60 | IRFN350

 

 
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