VB264K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB264K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.185 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
Encapsulados: SOT23
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VB264K datasheet
vb264k.pdf
VB264K www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 60 4 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 - 185 High-Side Switching Low On-Resistance 4 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Low
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