Справочник MOSFET. VB264K

 

VB264K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB264K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.185 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB264K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB264K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  cn vbsemi
 vb264k.pdf pdf_icon

VB264K

VB264Kwww.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 4 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 - 185 High-Side Switching Low On-Resistance: 4 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low

Другие MOSFET... VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , IRFP460 , VB1695 , VB2103K , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 .

History: SI4056DY | BRD50P06 | IRLML6401TRPBF | HPD026N02STA

 

 
Back to Top

 


 
.