VB2103K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB2103K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
Encapsulados: SOT23
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VB2103K datasheet
vb2103k.pdf
VB2103K www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 3.0 at VGS = - 10 V - 0.30 TrenchFET Power MOSFET - 100 3.0 3.6 at VGS = - 4.5 V - 0.26 Ultra Low On-Resistance Small Size APPLICATIONS Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies TO-236 (SO
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