VB2103K Todos los transistores

 

VB2103K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB2103K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB2103K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 vb2103k.pdf pdf_icon

VB2103K

VB2103Kwww.VBsemi.comP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available3.0 at VGS = - 10 V - 0.30 TrenchFET Power MOSFET- 100 3.03.6 at VGS = - 4.5 V - 0.26 Ultra Low On-Resistance Small SizeAPPLICATIONS Active Clamp Circuits in DC/DC Power SuppliesTO-236(SO

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History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
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