VB2103K Todos los transistores

 

VB2103K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VB2103K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: SOT23

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VB2103K datasheet

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VB2103K

VB2103K www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 3.0 at VGS = - 10 V - 0.30 TrenchFET Power MOSFET - 100 3.0 3.6 at VGS = - 4.5 V - 0.26 Ultra Low On-Resistance Small Size APPLICATIONS Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies TO-236 (SO

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