VB2103K - описание и поиск аналогов

 

VB2103K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB2103K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VB2103K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB2103K даташит

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 vb2103k.pdf pdf_icon

VB2103K

VB2103K www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 3.0 at VGS = - 10 V - 0.30 TrenchFET Power MOSFET - 100 3.0 3.6 at VGS = - 4.5 V - 0.26 Ultra Low On-Resistance Small Size APPLICATIONS Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies TO-236 (SO

Другие MOSFET... VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , VB1695 , IRLZ44N , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.