Справочник MOSFET. VB2103K

 

VB2103K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB2103K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB2103K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB2103K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 vb2103k.pdf pdf_icon

VB2103K

VB2103Kwww.VBsemi.comP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available3.0 at VGS = - 10 V - 0.30 TrenchFET Power MOSFET- 100 3.03.6 at VGS = - 4.5 V - 0.26 Ultra Low On-Resistance Small SizeAPPLICATIONS Active Clamp Circuits in DC/DC Power SuppliesTO-236(SO

Другие MOSFET... VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , VB1695 , IRFP260N , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 .

History: IXFN32N100Q3 | IXFK180N25T | KTK5131S

 

 
Back to Top

 


 
.