SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2319CDS-T1-GE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET
SI2319CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2319cds-t1-ge3.pdf
SI2319CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter
si2319cds.pdf
Si2319CDSVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.077 at VGS = - 10 V - 4.4- 40 7 nC 100 % Rg Tested0.108 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC
si2319cd.pdf
Si2319CDSVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.077 at VGS = - 10 V - 4.4- 40 7 nC 100 % Rg Tested0.108 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC
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History: 2SK1066 | STE15NA100 | IPP147N03LG | SDT01N02 | PTA20N70A | SW2N60A1
History: 2SK1066 | STE15NA100 | IPP147N03LG | SDT01N02 | PTA20N70A | SW2N60A1
Liste
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