SI2319CDS-T1-GE3 - описание и поиск аналогов

 

SI2319CDS-T1-GE3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2319CDS-T1-GE3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SI2319CDS-T1-GE3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2319CDS-T1-GE3 даташит

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
si2319cds-t1-ge3.pdfpdf_icon

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter

 5.1. Size:225K  vishay
si2319cds.pdfpdf_icon

SI2319CDS-T1-GE3

Si2319CDS Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.077 at VGS = - 10 V - 4.4 - 40 7 nC 100 % Rg Tested 0.108 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC

 6.1. Size:222K  vishay
si2319cd.pdfpdf_icon

SI2319CDS-T1-GE3

Si2319CDS Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.077 at VGS = - 10 V - 4.4 - 40 7 nC 100 % Rg Tested 0.108 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC

Другие MOSFET... CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , VB1695 , VB2103K , SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , IRFP260N , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G .

History: DMJ70H1D0SV3 | 2SK749 | AGM60P90D | 2SK1405

 

 

 

 

↑ Back to Top
.