VB2290 Todos los transistores

 

VB2290 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB2290
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB2290 datasheet

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VB2290

VB2290 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) - 3.5 Configuration Single S (SOT-23) G 1 G

 0.1. Size:977K  cn vbsemi
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VB2290

VB2290A www.VBsemi.com P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested 0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S TO-236 (

Otros transistores... SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , 2N7000 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD .

 

 
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