VB2290 Todos los transistores

 

VB2290 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB2290
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB2290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  cn vbsemi
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VB2290

VB2290www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) - 3.5Configuration SingleS(SOT-23)G 1 G

 0.1. Size:977K  cn vbsemi
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VB2290

VB2290Awww.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSTO-236(

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