VB2290 - описание и поиск аналогов

 

VB2290. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB2290

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VB2290

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB2290 даташит

 ..1. Size:563K  cn vbsemi
 vb2290.pdf pdf_icon

VB2290

VB2290 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) - 3.5 Configuration Single S (SOT-23) G 1 G

 0.1. Size:977K  cn vbsemi
 vb2290a.pdf pdf_icon

VB2290

VB2290A www.VBsemi.com P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested 0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S TO-236 (

Другие MOSFET... SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , 2N7000 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD .

History: SED8830

 

 

 

 

↑ Back to Top
.