VB8338 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VB8338  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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VB8338 datasheet

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VB8338

VB8338 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-Cha

Otros transistores... SI2319DS-T1-GE3, SI2323CDS-T1-GE3, SI2323DDS-T1-GE3, SI2323DS-T1, SI2338DS-T1-GE3, CS4N80FA9HD, VB2290, CS4N80A4HD-G, IRF9540, CS4N80A3HD-G, CS4N70FA9R, VBA1615, VBA1630, CS24N40FA9H, CS24N50ANHD, CS25N06B3, CS25N06B4