Справочник MOSFET. VB8338

 

VB8338 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB8338
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VB8338

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB8338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cn vbsemi
 vb8338.pdf pdf_icon

VB8338

VB8338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Cha

Другие MOSFET... SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G , 2SK3878 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 .

History: TK62J60W5 | IRF6709S2 | PSMN022-30BL | ZXMP6A18DN8

 

 
Back to Top

 


 
.