SI2369DS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2369DS-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2369DS-T1
SI2369DS-T1 Datasheet (PDF)
si2369ds-t1.pdf
SI2369DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT
si2369ds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET SI2369DS (KI2369DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1 Features+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-30V3 ID =-7.6A (VGS =20V) RDS(ON) 29m (VGS =-10V) RDS(ON) 34m (VGS =-6V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.21. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Rating
si2369ds.pdf
Si2369DSVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.029 at VGS = - 10 V - 7.6For definitions of compliance please see0.034 at VGS = - 6 V - 7 11.4 nC- 30 www.vishay.com/doc?999120.040 at VGS = - 4.5 V - 6.5APPLICATIONS
si2369ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET SI2369DS (KI2369DS)SOT-23Unit: mm Features+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-30V3 ID =-7.6A (VGS =20V) RDS(ON) 29m (VGS =-10V) RDS(ON) 34m (VGS =-6V) RDS(ON) 40m (VGS =-4.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta
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Liste
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