Справочник MOSFET. SI2369DS-T1

 

SI2369DS-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI2369DS-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SI2369DS-T1

 

 

SI2369DS-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn vbsemi
si2369ds-t1.pdf

SI2369DS-T1
SI2369DS-T1

SI2369DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT

 5.1. Size:2183K  kexin
si2369ds-3.pdf

SI2369DS-T1
SI2369DS-T1

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET SI2369DS (KI2369DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1 Features+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-30V3 ID =-7.6A (VGS =20V) RDS(ON) 29m (VGS =-10V) RDS(ON) 34m (VGS =-6V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.21. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Rating

 6.1. Size:237K  vishay
si2369ds.pdf

SI2369DS-T1
SI2369DS-T1

Si2369DSVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.029 at VGS = - 10 V - 7.6For definitions of compliance please see0.034 at VGS = - 6 V - 7 11.4 nC- 30 www.vishay.com/doc?999120.040 at VGS = - 4.5 V - 6.5APPLICATIONS

 6.2. Size:2172K  kexin
si2369ds.pdf

SI2369DS-T1
SI2369DS-T1

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET SI2369DS (KI2369DS)SOT-23Unit: mm Features+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-30V3 ID =-7.6A (VGS =20V) RDS(ON) 29m (VGS =-10V) RDS(ON) 34m (VGS =-6V) RDS(ON) 40m (VGS =-4.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top