CS460FA9H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS460FA9H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS460FA9H

CS460FA9H Datasheet (PDF)

..1. Size:229K wuxi china
cs460fa9h.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS460F A9H General Description VDSS 500 V CS460F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 20 A PD (TC=25) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

9.1. Size:1412K blue-rocket-elect
brcs4606hsc.pdf

BRCS4606HSC Rev.B Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6.0A RDS(ON)

9.2. Size:2249K blue-rocket-elect
brcs4606sc.pdf

BRCS4606SC Rev.E Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channelVDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6A RDS(ON)

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Liste

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